1-71 El calor generado en la circuitería sobre la superficie de un chip de silicio (k �=130 W/m · °C) se conduce hasta el sus�trato de cerámica al cual está sujeto. El chip tiene un tamaño de 6 mm � 6 mm y un espesor de 0.5 mm y disipa 5 W de poten�cia. Descartando cualesquiera transferencia de calor a través de las superficies laterales de 0.5 mm de altura, determine la di�ferencia de temperatura entre las superficies del frente y poste�rior del chip operando en estado estacionario
